NSVF3007SG3T1G, Trans RF BJT NPN 12V 0.03A 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin MCPH T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSVF3007SG3T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSVF3007SG3T1G, Trans RF BJT NPN 12V 0.03A ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
48
+
Бонус: 0.96 !
Бонусная программа
Итого: 48
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft8ГГц
collector emitter voltage max12В
continuous collector current30мА
dc current gain hfe min60hFE
dc ток коллектора30мА
dc усиление тока hfe60hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
корпус рч транзистораSC-70FL
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура150 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение коллектор-эмиттер12В
партномер8002296829
полярность транзистораNPN
power dissipation350мВт
рассеиваемая мощность350мВт
стандарты автомобильной промышленностиAEC-Q101
стиль корпуса транзистораSC-70FL
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки1:32:08
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль