NJVMJB42CT4G, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 6A 100V TR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NJVMJB42CT4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NJVMJB42CT4G, Bipolar Transistors - BJT BIP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.42
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
480
+
Бонус: 9.6 !
Бонусная программа
Итого: 480
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 6A 100V TR
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.42
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.75
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)15
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора10 A
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток6 A
партномер8005547391
pd - рассеивание мощности65 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)3 MHz
размер фабричной упаковки800
серияMJB42C
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокD2PAK-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:48:35
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль