Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A
Вес и габариты
длина
2.9 mm
другие названия товара №
06 LT1 MMBTA MMBTA6LT1XT SP000011685
Высота
1 мм
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
1 A
минимальная рабочая температура
65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
4 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.25 V
непрерывный коллекторный ток
500 mA
pd - рассеивание мощности
330 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
100 MHz
размер фабричной упаковки
3000
серия
MMBTA
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Infineon Technologies
упаковка / блок
SOT-23-3
вес, г
0.008
вид монтажа
SMD/SMT
Ширина
1.3 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26