MMBT6429LT1G, Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:MMBT6429LT1G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
collector current
0.2A
collector-emitter breakdown voltage
45V
frequency
700MHz
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer
ONSEMI
maximum dc collector current
200mA
mounting
SMD
партномер
8003326847
pd - power dissipation
225mW
power dissipation
0.225/0.3W
transistor type
NPN
Время загрузки
0:18:39
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26