MJF31CG, Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 30W NPN
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJF31CG
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 3A 100V 30W NPN
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 02.03.2024 |
| Высота | 9.24 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| category | Bipolar Power |
| configuration | Single |
| длина | 10.63 mm |
| frequency | 3(MHz) |
| frequency (max) | 3 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| maximum collector base voltage | 100 V dc |
| maximum collector emitter voltage | 100 V |
| maximum dc collector current | 3 A |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum operating frequency | 1 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum power dissipation | 28 W |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 10 |
| mounting | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 100 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 100 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
| непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| number of elements | 1 |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature classification | Military |
| operating temp range | -65C to 150C |
| output power | Not Required(W) |
| package type | TO-220FP |
| packaging | Rail/Tube |
| партномер | 8005371494 |
| pd - рассеивание мощности | 28 W |
| pin count | 3+Tab |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power dissipation | 2(W) |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 3 MHz |
| rad hardened | No |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| серия | MJF31C |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity | NPN |
| transistor type | NPN |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| Время загрузки | 0:50:57 |
| Ширина | 4.9 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
