MJD210T4G, Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJD210T4G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD210T4G, Bipolar Transistors - BJT 5A 25V ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft65МГц
collector emitter voltage max25В
continuous collector current
dc current gain hfe min10hFE
dc усиление тока hfe10hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов4вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
maximum collector base voltage40 V dc
maximum collector emitter voltage25 V
maximum dc collector current5 A
maximum emitter base voltage8 V
maximum operating frequency10 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation12.5 W
minimum dc current gain45
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeDPAK(TO-252)
партномер8005371437
pin count3
полярность транзистораPNP
power dissipation1.4Вт
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
transistor configurationSingle
transistor typePNP
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки0:53:21
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль