Name: MJD127T4G, 100V 1000@4V,4A PNP 8A 1.75W TO2522(DPAK) Darlington Transistors ROHS
Brand: ON Semiconductor***
SKU: MJD127T4G

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJD127T4G, 100V 1000@4V,4A PNP 8A 1.75W ...

Подробное описание

150 ₽

– +

Бонус: 3 !

Бонусная программа

Итого: 150 ₽

Купить

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
collector current	8A
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer	ONSEMI
maximum base emitter saturation voltage	4.5 V
maximum collector base voltage	100 V
maximum collector cut-off current	0.01mA
maximum collector emitter saturation voltage	4 V
maximum collector emitter voltage	100 V
maximum continuous collector current	8 A
maximum emitter base voltage	5 V
maximum operating temperature	+150 °C
minimum dc current gain	100
minimum operating temperature	-65 °C
mounting	SMD
mounting type	Surface Mount
number of elements per chip	1
package type	DPAK(TO-252)
партномер	8008996417
pin count	3
power dissipation	20W
transistor configuration	Single
transistor type	PNP
Время загрузки	2:06:39
width	6.22mm

Отзывов нет

Кнопки

Теги: