BCX56,115, Package/Enclosure SOT89

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCX56,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BCX56,115, Package/Enclosure SOT89
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
16
+
Бонус: 0.32 !
Бонусная программа
Итого: 16
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN 80V 1A
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberBCX56 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce63 @ 150mA, 2V
длина4.6 mm
другие названия товара №9,33272E+11
eccnEAR99
frequency - transition180MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.63 at 5 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)63
кол-во в упаковке1000
конфигурацияSingle
конфигурация:Single
квалификацияAEC-Q101
квалификация:AEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
maximum collector base voltage100 V
maximum collector emitter voltage80 V
maximum dc collector current1 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation1.35 W
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain63
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение эмиттер-база (vebo):5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-база (vcbo):100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:80 V
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
package typeSOT-89
партномер8003791061
pd - рассеивание мощности1250 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
полярность транзистора:NPN
power - max1.25W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):180 MHz
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)180 MHz
рабочая температура:- 65 C + 150 C
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-89
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 50mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Время загрузки14:25:33
Ширина2.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль