Name: BCP5510TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
Brand: DIODES INC.
SKU: BCP5510TA

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BCP5510TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid ...

Подробное описание

130 ₽

– +

Бонус: 2.6 !

Бонусная программа

Итого: 130 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.11
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:	60 V
collector-emitter saturation voltage:	500 mV
collector- emitter voltage vceo max:	60 V
configuration:	Single
dc collector/base gain hfe min:	63
dc current gain hfe max:	160
emitter- base voltage vebo:	5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	1000
gain bandwidth product ft:	150 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum dc collector current:	1 A
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
package / case:	SOT-223-4
партномер	8004841589
pd - power dissipation:	2 W
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series:	BCP55
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	NPN
Время загрузки	22:32:46

Отзывов нет

Кнопки

Теги: