BCP53-16TX, Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1А, SOT223

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCP53-16TX
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BCP53-16TX, Транзистор: PNP, биполярный, 80В ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.14
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
39
+
Бонус: 0.78 !
Бонусная программа
Итого: 39
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT BCP53-16T/SC-73/REEL 7" Q1/T1
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.14
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
collector- base voltage vcbo-100 V
collector-emitter saturation voltage-0.5 V
collector- emitter voltage vceo max-80 V
configurationSingle
continuous collector current-1 A
dc collector/base gain hfe min100
dc current gain hfe max250
emitter- base voltage vebo-5 V
factory pack quantity1000
gain bandwidth product ft145 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.250
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
manufacturerNexperia
maximum collector base voltage-100 V
maximum collector emitter voltage-80 V
maximum dc collector current-1 A
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating frequency145 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation1.35 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток1 A
number of elements per chip1
package / caseSOT-223-3
package typeSOT-223(SC-73)
packagingCut Tape or Reel
партномер8014888167
pd - power dissipation1.35 W
pd - рассеивание мощности1.35 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)145 MHz
qualificationAEC-Q101
размер фабричной упаковки1000
subcategoryTransistors
technologySi
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-223-4
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки15:14:50
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль