BCM847BV,115, Bipolar Transistors - BJT NRND for Automotive Applications BCM847BV/SOT666/SOT6

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCM847BV,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BCM847BV,115, Bipolar Transistors - BJT NRND ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:200 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Dual
dc collector/base gain hfe min:200 at 2 mA, 5 V
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:4000
gain bandwidth product ft:250 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Nexperia
maximum dc collector current:100 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-666-6
партномер8005545544
part # aliases:9,34059E+11
pd - power dissipation:300 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки23:09:28
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль