Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTBipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
0.24
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:
80 V
collector-emitter saturation voltage:
250 mV
collector- emitter voltage vceo max:
65 V
configuration:
Single
continuous collector current:
100 mA
emitter- base voltage vebo:
6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:
2000
gain bandwidth product ft:
300 MHz
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:
onsemi
maximum collector base voltage
80 V
maximum collector emitter voltage
65 V
maximum dc collector current
100 mA
maximum dc collector current:
100 mA
maximum emitter base voltage
6 V
maximum operating frequency
1 MHz
maximum operating temperature
+150 °C
maximum operating temperature:
+150 C
maximum power dissipation
500 mW
minimum dc current gain
110
mounting style:
Through Hole
mounting type
Through Hole
number of elements per chip
1
package / case:
TO-92-3 Kinked Lead
package type
TO-92
packaging:
Ammo Pack
партномер
8004832836
pd - power dissipation:
500 mW
pin count
3
product category:
Bipolar Transistors-BJT
product type:
BJTs-Bipolar Transistors
series:
BC546
subcategory:
Transistors
technology:
Si
transistor configuration
Single
transistor polarity:
NPN
transistor type
NPN
Время загрузки
2:03:20
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26