2SA2039-E, Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 5 А, 15 Вт, TO-251, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SA2039-E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SA2039-E, Биполярный транзистор, PNP, 50 В ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.426
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJTMarket demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.426
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
base part number2SA2039
частота перехода ft360МГц
collector emitter voltage max50В
continuous collector current
current - collector cutoff (max)1ВµA(ICBO)
current - collector (ic) (max)5A
dc current gain hfe min200hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 500mA, 2V
dc усиление тока hfe200hFE
frequency - transition360MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов4вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150°C
manufacturerON Semiconductor
монтаж транзистораThrough Hole
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C(TJ)
package / caseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
packagingBulk
партномер8001551241
part statusActive
полярность транзистораPNP
power dissipation15Вт
power - max800mW
series-
стиль корпуса транзистораTO-251
supplier device packageTP
transistor typePNP
vce saturation (max) @ ib, ic430mV @ 100mA, 2A
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки0:54:15
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль