IXXK100N60C3H1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXXK100N60C3H1
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
6 730
+
Бонус: 134.6 !
Бонусная программа
Итого: 6 730
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - SingleIGBT PT 600V 170A 695W Through Hole TO-264 (IXXK)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-264-3, TO-264AA Variation
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки25
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-264
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIXXK100N60
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-264 (IXXK)
california prop 65Warning Information
коммерческое обозначениеXPT
seriesGenX3в„ў, XPTв„ў ->
pd - рассеивание мощности695 W
base product numberIXX*N60 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.2 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c170 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
current - collector (ic) (max)170A
current - collector pulsed (icm)340A
gate charge150nC
igbt typePT
power - max695W
switching energy2mJ (on), 950ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c30ns/90ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.2V @ 15V, 70A
voltage - collector emitter breakdown (max)600V
test condition360V, 70A, 2Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)140ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль