IXGK400N30A3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXGK400N30A3
Основные
вес, г10
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
6 120
+
Бонус: 122.4 !
Бонусная программа
Итого: 6 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400 Amps 300V
Основные
вес, г10
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки25
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-264-3
серияIXGK400N30
длина20.29 mm
коммерческое обозначениеGenX3
pd - рассеивание мощности1 kW
диапазон рабочих температур55 C to + 150 C
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.300 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.15 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c400 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
непрерывный коллекторный ток400 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.1.2 kA
Высота 26.59 мм
Ширина5.31 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль