Name: IXBT16N170A, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 150Вт, TO268
SKU: IXBT16N170A

IXBT16N170A, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 150Вт, TO268

Подробное описание

Основные
вес, г	5
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C

Все характеристики

2 730 ₽

– +

Бонус: 54.6 !

Бонусная программа

Итого: 2 730 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMDБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 16A

Основные
вес, г	5
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	30
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-268-3
серия	IXBT16N170
длина	16.05 mm
коммерческое обозначение	BIMOSFET
pd - рассеивание мощности	150 W
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1700 V
непрерывный ток коллектора ic, макс.	16 A
Высота	5.1 мм
Ширина	14 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки