APT50GF120JRDQ3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
APT50GF120JRDQ3
Основные
вес, г30
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
17 190
+
Бонус: 343.8 !
Бонусная программа
Итого: 17 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Combi
Основные
вес, г30
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки1
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаMicrosemi
упаковкаTube
упаковка / блокSOT-227-4
длина38.2 mm
коммерческое обозначениеISOTOP
pd - рассеивание мощности521 W
диапазон рабочих температур55 C to + 150 C
Вес и габариты
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c120 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Высота 9.6 мм
Ширина25.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль