APT33GF120BRG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
APT33GF120BRG
Вес и габариты
Высота 5.31 мм
Основные
base product numberAPT33GF120 ->
current - collector (ic) (max)52A
2 320
+
Бонус: 46.4 !
Бонусная программа
Итого: 2 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Single
Вес и габариты
Высота 5.31 мм
Основные
base product numberAPT33GF120 ->
current - collector (ic) (max)52A
current - collector pulsed (icm)104A
диапазон рабочих температур55 C to + 150 C
длина21.46 mm
eccnEAR99
gate charge170nC
htsus8541.29.0095
igbt typeNPT
input typeStandard
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.5 V
непрерывный коллекторный ток52 A
непрерывный коллекторный ток при 25 c52 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.52 A
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
pd - рассеивание мощности297 W
подкатегорияIGBTs
power - max297W
размер фабричной упаковки1
reach statusREACH Unaffected
rohs statusRoHS Compliant
supplier device packageTO-247 [B]
switching energy2.8mJ (on), 2.8mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c25ns/210ns
технологияSi
тип продуктаIGBT Transistors
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
торговая маркаMicrosemi
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
vce(on) (max) @ vge, ic3.2V @ 15V, 25A
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
Ширина16.26 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль