MMBTA06

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBTA06
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
91
+
Бонус: 1.82 !
Бонусная программа
Итого: 91
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, NPN, SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):250mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:100; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Termination Type:Surface Mount Device; Transistor Type:Small Signal
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo80 V
collector-emitter saturation voltage0.25 V
collector- emitter voltage vceo max80 V
configurationSingle
emitter- base voltage vebo4 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft100 MHz
height1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length3.05 mm
manufacturerDiodes Incorporated
maximum dc collector current0.5 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-23-3
packagingReel
партномер8001997604
pd - power dissipation300 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMMBTA06
transistor polarityNPN
Время загрузки22:21:11
width1.4 mm
Отзывов нет
Подборки товаров в категории:Микросхемы памятиТранзисторы биполярные
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль