NCD57090EDWR2G, Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NCD57090EDWR2G
Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT ON Semiconductor NCD57090EDWR2G, Gate Drivers ISOLATED DRIVER ...
ON Semiconductor***
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:55:16
БрендON Semiconductor***
850
+
Бонус: 17 !
Бонусная программа
Итого: 850
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
NCD57090 is high-current single channel IGBT/MOSFET gate drivers with 5KVrms internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high power applications. The devices accept complementary inputs and depending on the pin configuration, offer options such as driver outputs. The driver accommodate wide range of input bias voltage and signal levels from 3.3V to 20V and they are available in wide body SOIC-8 package. Typical applications include motor control, uninterruptible power supplies (UPS), automotive applications, industrial power supplies and solar inverters. • High peak output current (+6.5A/-6.5A)• Short propagation delays with accurate matching• IGBT/MOSFET gate clamping during short circuit• IGBT/MOSFET gate active pull down• Tight UVLO thresholds for bias flexibility• 3.3V, 5V and 15V logic input, 5KVrms galvanic isolation• High transient immunity, high electromagnetic immunity
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:55:16
БрендON Semiconductor***
Вес и габариты
fall time13ns
ic case / packageSOIC
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
количество каналов1канал(-ов)
количество выводов8вывод(-ов)
конфигурация приводаНеинвертирующий
линейка продукцииNCx57090y
максимальная рабочая температура150°C
максимальное напряжение питания15В
минимальная рабочая температура-65°C
минимальное напряжение питания3.3В
output current6.5 A
package typeSOIC
партномер8008903004
pin count8
supply voltage20V
тип переключателя питанияIGBT, MOSFET
ток истока6.5А
ток стока6.5А
задержка по входу60нс
задержка выхода60нс
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль