NCD5701BDR2G, Драйвер БТИЗ, полумостовой, 4A, 13.2В до 20В питание, 56нс/63нс задержка, SOIC-8

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NCD5701BDR2G
Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT ON Semiconductor NCD5701BDR2G, Драйвер БТИЗ, полумостовой, 4A ...
ON Semiconductor***
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:55:16
БрендON Semiconductor***
740
+
Бонус: 14.8 !
Бонусная программа
Итого: 740
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Solutions for Energy Infrastructureonsemi Solutions for Energy Infrastructure address the landscape for energy generation, distribution, and storage that is rapidly evolving to fulfill targets set by government policy and increasing consumption. Heightened efficiency targets, reductions of CO2 emissions, and a focus on renewable and clean energy are key factors in this Energy Infrastructure Evolution. onsemi offers a comprehensive portfolio of energy efficient solutions to serve the demanding needs of high-power applications including Silicon Carbide (SiC) Diodes, Intelligent Power Modules, and Current Sense Amplifiers.
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:55:16
БрендON Semiconductor***
Вес и габариты
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
fall time:19 ns
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
manufacturer:onsemi
maximum operating temperature:+125 C
maximum turn-off delay time:75 ns
maximum turn-on delay time:75 ns
minimum operating temperature:-40 C
mounting style:SMD/SMT
number of drivers:1 Driver
number of outputs:1 Output
operating supply current:10 uA
output current:4 A
output voltage:800 mV, 14.1 V
package/case:SOIC-8
партномер8171183430
pd - power dissipation:700 mW
product:IGBT, MOSFET Gate Drivers
product category:Gate Drivers
product type:Gate Drivers
rise time:18 ns
series:NCD5701
shutdown:Shutdown
subcategory:PMIC-Power Management ICs
supply voltage - max:30 V
supply voltage - min:20 V
technology:Si
type:Half-Bridge
вес, г0.1
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль