IRFU420PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 1,5А, 42Вт, IPAK

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFU420PBF
Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT Vishay IRFU420PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой ...
Информация о производителе
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:31:24
БрендVISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
320
+
Бонус: 6.4 !
Бонусная программа
Итого: 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 1,5А, 42Вт, IPAK
Информация о производителе
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:31:24
БрендVISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес и габариты
channel modeEnhancement
channel typeN
configurationSingle
fall time16 ns
height6.22 mm
id - continuous drain current2.4 A
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
length6.73 mm
manufacturerVishay
maximum continuous drain current2.4 A
maximum drain source resistance3 Ω
maximum drain source voltage500 V
maximum gate source voltage±20 V
maximum gate threshold voltage4V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation2.5 W
minimum gate threshold voltage2V
minimum operating temperature-55 °C
mounting styleThrough Hole
mounting typeThrough Hole
number of channels1 Channel
number of elements per chip1
package / caseTO-251-3
package typeIPAK(TO-251)
packagingTube
партномер8002738025
pd - power dissipation2.5 W
pin count3
product categoryMOSFET
rds on - drain-source resistance3 Ohms
rise time8.6 ns
rohsDetails
technologySi
transistor configurationSingle
transistor polarityN-Channel
transistor type1 N-Channel
typical gate charge @ vgs19(Maximumn)nC
typical turn-off delay time33 ns
typical turn-on delay time8 ns
unit weight0.01164 oz
vds - drain-source breakdown voltage500 V
вес, г0.4
vgs - gate-source voltage20 V
width6.22mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль