EMB1412MYE/NOPB, Gate Drivers SEMS SILICON I/C

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: EMB1412MYE/NOPB
Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT Texas Instruments EMB1412MYE/NOPB, Gate Drivers SEMS SILICON I/C
Texas Instruments
Информация о производителе
ПроизводительTexas Instruments
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки6:11:22
БрендTexas Instruments
1 740
+
Бонус: 34.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 740
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\ИС для управления питанием\Драйверы для управления затворомДрайверы для управления затвором SEMS SILICON I/C
Информация о производителе
ПроизводительTexas Instruments
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки6:11:22
БрендTexas Instruments
Вес и габариты
диапазон рабочих температур40 C to + 125 C
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
категория продуктаДрайверы для управления затвором
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 125 C
минимальная рабочая температура40 C
напряжение питания - макс.14 V
напряжение питания - мин.3.5 V
особенностиSingle Supply
партномер8004998737
подкатегорияPMIC - Power Management ICs
рабочее напряжение питания3.5 V to 14 V
размер фабричной упаковки250
серияEMB1412
технологияSi
тип логикиTTL
тип продуктаGate Drivers
торговая маркаTexas Instruments
упаковка / блокMSOP-PowerPad-8
вес, г0.0244
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания14 ns
время спада12 ns
выходной ток3 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль