AUIRF7669L2TR, Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: AUIRF7669L2TR
Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT Infineon AUIRF7669L2TR, Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A ...
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки6:11:31
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
1 520
+
Бонус: 30.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 520
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive 15-Pin Direct-FET L8 T/R
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки6:11:31
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес и габариты
automotiveYes
channel modeEnhancement
channel mode:Enhancement
channel typeN
configurationSingle Octal Source Dual Drain
configuration:Single
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
factory pack quantity: factory pack quantity:4000
fall time:14 ns
forward transconductance - min:90 S
id - continuous drain current:114 A
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
lead shapeNo Lead
manufacturer:Infineon
materialSi
maximum continuous drain current (a)19
maximum drain source resistance (mohm)4.4@10V
maximum drain source voltage (v)100
maximum gate source leakage current (na)100
maximum gate source voltage (v)±20
maximum gate threshold voltage (v)5
maximum idss (ua)5
maximum operating temperature:+175 C
maximum operating temperature (°c)175
maximum power dissipation (mw)3300
minimum operating temperature:-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
number of channels:1 Channel
number of elements per chip1
package / case:DirectFET-L8
packagingTape and Reel
партномер8002239194
part statusActive
pcb changed15
pd - power dissipation:100 W
pin count15
ppapUnknown
process technologyDirectFET
product categoryPower MOSFET
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:120 nC
qualification:AEC-Q101
rds on - drain-source resistance:3.5 mOhms
rise time:30 ns
subcategory:MOSFETs
supplier packageDirect-FET L8
supplier temperature gradeAutomotive
technology:Si
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
typical fall time (ns)14
typical gate charge @ 10v (nc)81
typical gate charge @ vgs (nc)81@10V
typical input capacitance @ vds (pf)5660@25V
typical rise time (ns)30
typical turn-off delay time:27 ns
typical turn-off delay time (ns)27
typical turn-on delay time:15 ns
typical turn-on delay time (ns)15
vds - drain-source breakdown voltage:100 V
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:4 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль