2ED2106S06FXUMA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT Infineon 2ED2106S06FXUMA1
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки6:12:09
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
630
+
Бонус: 12.6 !
Бонусная программа
Итого: 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Электроэлемент650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки6:12:09
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес и габариты
configuration:Inverting
factory pack quantity2500
fall time:35 ns
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
logic type:CMOS, LSTTL
manufacturer:Infineon
maximum operating temperature:+125 C
maximum turn-off delay time:300 ns
maximum turn-on delay time:300 ns
minimum operating temperature:-40 C
moisture sensitive:Yes
mounting style:SMD/SMT
number of drivers:2 Driver
number of outputs:2 Output
operating supply current:300 uA
output current:290 mA
package/case:DSO-8
партномер8006455628
part # aliases:2ED2106S06F SP001710050
pd - power dissipation:625 mW
product:IGBT, MOSFET Gate Drivers
product category:Gate Drivers
product type:Gate Drivers
propagation delay - max:300 ns
rise time:100 ns
shutdown:Shutdown
subcategory:PMIC-Power Management ICs
supply voltage - max:20 V
supply voltage - min:10 V
technology:Si
type:High-Side, Low-Side
вес, г0.45
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль