FDP036N10A, MOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDP036N10A
Оптоэлектроника Светодиоды видимого спектра C держателем на блок ON Semiconductor FDP036N10A, MOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm ...
ON Semiconductor***
Основные
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Информация о производителе
channel mode:Enhancement
configuration:Single
1 370
+
Бонус: 27.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 370
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETCloud Power Management Solutionsonsemi Cloud Power Management Solutions drive efficiency while simplifying system design, reducing board space, improving reliability and accelerating time to market. As the world demand for energy increases by 35 to 40% by 2030, onsemi powers major industrial products with cool efficiency to conserve the energy we use every day.
Основные
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Информация о производителе
channel mode:Enhancement
configuration:Single
Дата загрузки11.05.2024
factory pack quantity: factory pack quantity:50
forward transconductance - min:167 S
id - continuous drain current:176 A
категорияОптоэлектроника/Светодиоды видимого спектра
manufacturer:onsemi
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
number of channels:1 Channel
package / case:TO-220-3
packaging:Tube
партномер8004833820
pd - power dissipation:227 W
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:89 nC
rds on - drain-source resistance:3.6 mOhms
series:FDP036N10A
subcategory:MOSFETs
technology:Si
tradename:PowerTrench
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:100 V
вес, г1.95
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:3 V
Время загрузки13:23:21
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль