FDMS5672, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 22А, 78Вт, PQFN8, PowerTrench®
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDMS5672
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Power-56-8 MOSFETs ROHS
| Основные | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Информация о производителе | |
| channel mode | Enhancement |
| channel mode: | Enhancement |
| channel type | N |
| configuration: | Single |
| Дата загрузки | 11.05.2024 |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 3000 |
| fall time: | 8 ns |
| forward transconductance - min: | 26 S |
| id - continuous drain current: | 10.6 A |
| категория | Оптоэлектроника/Светодиоды видимого спектра |
| manufacturer: | onsemi |
| maximum continuous drain current | 10.6 A |
| maximum drain source resistance | 12 mΩ |
| maximum drain source voltage | 60 V |
| maximum gate source voltage | -20 V, +20 V |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| maximum power dissipation | 2.5 W |
| minimum gate threshold voltage | 2V |
| minimum operating temperature | -55 °C |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| mounting style: | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| number of channels: | 1 Channel |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case: | Power-56-8 |
| package type | MLP8 |
| партномер | 8017540930 |
| pd - power dissipation: | 2.5 W |
| pin count | 8 |
| product category: | MOSFET |
| product type: | MOSFET |
| qg - gate charge: | 45 nC |
| rds on - drain-source resistance: | 11.5 mOhms |
| rise time: | 17 ns |
| series | UltraFET |
| series: | FDMS5672 |
| subcategory: | MOSFETs |
| technology: | Si |
| tradename: | UltraFET |
| transistor configuration | Single |
| transistor material | Si |
| transistor polarity: | N-Channel |
| transistor type: | 1 N-Channel |
| type: | Power MOSFET |
| typical gate charge @ vgs | 32 nC @ 10 V |
| typical turn-off delay time: | 22 ns |
| typical turn-on delay time: | 16 ns |
| vds - drain-source breakdown voltage: | 60 V |
| вес, г | 5 |
| vgs - gate-source voltage: | -20 V, +20 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage: | 2 V |
| Время загрузки | 13:23:21 |
| width | 6mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
