IS62WV5128EBLL-45T2LI

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - ИС асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8) Параллельный 45 нс 32-TSOP II
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
1 220
+
Бонус: 24.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - ИС асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8) Параллельный 45 нс 32-TSOP II
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case32-SOIC (0.400"", 10.16mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки117
тип продуктаSRAM
торговая маркаISSI
упаковка / блокTSOP-32
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
серияIS62WV5128EBLL
reach statusREACH Unaffected
supplier device package32-TSOP II
коммерческое обозначениеPowerSaver
напряжение питания - макс.22 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.2.2 V
тип интерфейсаParallel
voltage - supply2.2V ~ 3.6V
Вес и габариты
technologySRAM - Asynchronous
организация512 k x 8
размер памяти4 Mbit
тип памятиSDR
memory size4Mb (512K x 8)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
время доступа45 ns
access time45ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page45ns
ТипAsynchronous
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль