Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - микросхема асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельная, 55 нс, 32 с, TSOP I

Подробное описание

Основные
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray

1 560 ₽

– +

Бонус: 31.2 !

Бонусная программа

Итого: 1 560 ₽

Купить

Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - микросхема асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельная, 55 нс, 32 с, TSOP I

Основные
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	32-TFSOP (0.465"", 11.80mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Стат. ОЗУ
максимальная рабочая температура	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	234
тип продукта	SRAM
торговая марка	ISSI
упаковка	Tray
упаковка / блок	sTSOP-32
чувствительный к влажности	Yes
eccn	3A991B2A
htsus	8542.32.0041
серия	IS62WV5128BLL
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	32-sTSOP I
напряжение питания - макс.	10 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	2.5 V
тип интерфейса	Parallel
voltage - supply	2.5V ~ 3.6V
Вес и габариты
диапазон данных	SDR
technology	SRAM - Asynchronous
организация	512 k x 8
количество портов	1
размер памяти	4 Mbit
memory size	4Mb (512K x 8)
максимальная тактовая частота	18 MHz
memory type	Volatile
memory format	SRAM
время доступа	55 ns
access time	55ns
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	55ns
Тип	Asynchronous

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

IS62WV5128BLL-55HLI