SNCV5700DR2G, Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SNCV5700DR2G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductors\Power Management ICs\Gate DriversДрайверы для управления затвором HIGH CURRENT IGBT GATE DR
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Основные
Дата загрузки
29.04.2024
Время загрузки
5:26:55
Бренд
ON Semiconductor***
Вес и габариты
configuration:
Inverting
factory pack quantity: factory pack quantity:
2500
fall time:
7.9 ns
категория
Электронные компоненты/Микросхемы
manufacturer:
onsemi
maximum operating temperature:
+125 C
minimum operating temperature:
-40 C
mounting style:
SMD/SMT
number of drivers:
1 Driver
number of outputs:
1 Output
output current:
4 A
package / case:
SOIC-16
packaging:
Reel, Cut Tape
партномер
8004739350
product:
IGBT, MOSFET Gate Drivers
product category:
Gate Drivers
product type:
Gate Drivers
rise time:
9.2 ns
subcategory:
PMIC-Power Management ICs
supply voltage - max:
5 V
supply voltage - min:
0 V
technology:
Si
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26