L6395DTR, Half Bridge 430mA 10V~20V 290mA SO-8 Gate Drive ICs

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: L6395DTR
Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT ST Microelectronics L6395DTR, Half Bridge 430mA 10V~20V 290mA ...
STMicroelectronics
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:43:54
БрендSTMicroelectronics
530
+
Бонус: 10.6 !
Бонусная программа
Итого: 530
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Драйверы для управления затвором High VTG gate driver
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:43:54
БрендSTMicroelectronics
Вес и габариты
automotiveNo
driver configurationNon-Inverting
driver typeHigh and Low Side
eccn (us)ear99
eu rohscompliant
high and low sides dependencySynchronous
input logic compatibilityCMOS|TTL|3.3V|5V
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
категория продуктаДрайверы для управления затвором
количество драйверов1 Driver
количество выходов2 Output
latch-up proofNo
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 125 C
maximum fall time (ns)70
maximum operating frequency (khz)800
maximum operating supply voltage (v)20
maximum operating temperature (°c)125
maximum power dissipation (mw)800
maximum propagation delay time (ns)200
maximum rise time (ns)120
минимальная рабочая температура40 C
minimum operating supply voltage (v)10
minimum operating temperature (°c)-40
mountingsurface mount
напряжение питания - макс.20 V
напряжение питания - мин.10 V
number of drivers2
number of outputs2
отключениеNo
packagingTape and Reel
партномер8015760627
part statusactive
pcb changed8
pd - рассеивание мощности800 mW
pin count8
подкатегорияPMIC - Power Management ICs
ppapNo
продуктMOSFET Gate Drivers
рабочий ток источника питания220 uA
размер фабричной упаковки2500
reference voltage (v)600(Max)
серияL6395
standard package nameSO
supplier packageSO N
технологияSi
тип продуктаGate Drivers
торговая маркаSTMicroelectronics
ТипHigh Side, Low Side
typeIGBT|MOSFET
typical input high threshold voltage (v)1.9 to 2.25
typical input low threshold voltage (v)0.8 to 1.1
упаковка / блокSO-8
вес, г0.2
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания75 ns
время спада35 ns
выходное напряжение580 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль