Сравнение

FF1200R17KP4_B2 Infineon, IGBT модуль 1200А 1700В 2N1711, Транзистор NPN, биполярный, 50В, 500мА, 0,8/3Вт, TO39, 8дБ MMSTA05-7-F, 100nA 60V 200mW 100@10mA,1V 500mA 100MHz 250mV@100mA,10mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Цена
159 000
110 100
260 29
Вес и габариты
Информация о производителе
Основные
Дата загрузки 23.02.2024 22.02.2024
Производитель Continental Device India DIODES INC.
Бренд Continental Device India DIODES INC.
вес, г 0.04
Высота 1 mm
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль