Сравнение

AS7805ADTR-G1 RFD12N06RLESM9A, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 8А, 49Вт, DPAK
Цена 0 0 310
Информация о производителе
Основные
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500
input voltage, max: 25 V
input voltage, min: 7.5 V
load regulation: 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: SMD/SMT
number of outputs: 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators
series: AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes
output current: 1 A
output voltage: 5 V
output type: Fixed
quiescent current: 6 mA
polarity: Positive
line regulation: 25 mV
package / case: TO-252-2
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C -55 C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C +175 C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вес, г 1.5
package / case TO-252-3
type MOSFET
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 2500
тип продукта MOSFET
торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блок TO-252-3
серия RFD12N06RLESM
длина 6.73 mm
время нарастания 89 ns, 34 ns
время спада 37 ns, 50 ns
factory pack quantity 2500
manufacturer ON Semiconductor
mounting style SMD/SMT
packaging Cut Tape or Reel
product category MOSFET
product type MOSFET
series RFD12N06RLESM
subcategory MOSFETs
pd - рассеивание мощности 49 W
другие названия товара № RFD12N06RLESM9A_NL
количество каналов 1 Channel
configuration Single
fall time 37 ns, 50 ns
rise time 89 ns, 34 ns
number of channels 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
part # aliases RFD12N06RLESM9A_NL
technology Si
pd - power dissipation 49 W
id - непрерывный ток утечки 17 A
rds вкл - сопротивление сток-исток 75 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
vgs - напряжение затвор-исток 16 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 22 ns, 41 ns
типичное время задержки при включении 13 ns, 5.3 ns
channel mode Enhancement
rds on - drain-source resistance 75 mOhms
transistor polarity N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage 60 V
vgs - gate-source voltage 16 V
id - continuous drain current 17 A
typical turn-on delay time 13 ns, 5.3 ns
typical turn-off delay time 22 ns, 41 ns
transistor type 1 N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль