Сравнение

AP7384-70V-A IPAN70R900P7S, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 700В, 3,5А, 17,9Вт, TO220FP
Цена 0 0 0 200
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа Through Hole Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000 500
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Infineon Technologies
упаковка Ammo Pack Tube
упаковка / блок TO-92-3 TO-220-3
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
вес, г 1.5
время нарастания 4.7 ns
время спада 31 ns
количество выводов 3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности 17.9 W
другие названия товара № IPAN70R900P7S SP001703476
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
channel type N Channel
рассеиваемая мощность 17.9Вт
power dissipation 17.9Вт
напряжение истока-стока vds 700В
id - непрерывный ток утечки 6 A
qg - заряд затвора 6.8 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 740 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 700 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 58 ns
типичное время задержки при включении 12 ns
стиль корпуса транзистора TO-220FP
непрерывный ток стока
сопротивление во включенном состоянии rds(on) 0.74Ом
напряжение измерения rds(on) 10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистора Through Hole
drain source on state resistance 0.74Ом
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль