Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	IPAN70R900P7S, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 700В, 3,5А, 17,9Вт, TO220FP
Цена	0 ₽	200 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Through Hole	—
number of outputs	1	—
package type	TO-92	—
minimum operating temperature	-40 °C	—
width	3.8mm	—
pin count	3	—
maximum operating temperature	+125 °C	—
output type	Fixed	—
output voltage	5 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
quiescent current	2.5µA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
вес, г	—	1.5
вид монтажа	—	Through Hole
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	40 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	500
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	Infineon Technologies
упаковка	—	Tube
упаковка / блок	—	TO-220-3
время нарастания	—	4.7 ns
время спада	—	31 ns
количество выводов	—	3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности	—	17.9 W
другие названия товара №	—	IPAN70R900P7S SP001703476
количество каналов	—	1 Channel
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
channel type	—	N Channel
рассеиваемая мощность	—	17.9Вт
power dissipation	—	17.9Вт
напряжение истока-стока vds	—	700В
id - непрерывный ток утечки	—	6 A
qg - заряд затвора	—	6.8 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	740 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	700 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	3 V
канальный режим	—	Enhancement
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	58 ns
типичное время задержки при включении	—	12 ns
стиль корпуса транзистора	—	TO-220FP
непрерывный ток стока	—	6А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	0.74Ом
напряжение измерения rds(on)	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	3В
монтаж транзистора	—	Through Hole
drain source on state resistance	—	0.74Ом