Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	IPAN70R900P7S, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 700В, 3,5А, 17,9Вт, TO220FP
Цена	200 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	1.5
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	500
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
время нарастания	4.7 ns
время спада	31 ns
количество выводов	3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности	17.9 W
другие названия товара №	IPAN70R900P7S SP001703476
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
channel type	N Channel
рассеиваемая мощность	17.9Вт
power dissipation	17.9Вт
напряжение истока-стока vds	700В
id - непрерывный ток утечки	6 A
qg - заряд затвора	6.8 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	740 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	700 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	58 ns
типичное время задержки при включении	12 ns
стиль корпуса транзистора	TO-220FP
непрерывный ток стока	6А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.74Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	3В
монтаж транзистора	Through Hole
drain source on state resistance	0.74Ом