Сравнение

AP7384-70V-A IPL65R1K5C6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 3А, 26,6Вт, PG-VSON-4
Цена 0 0 400
Информация о производителе
Основные
вид монтажа Through Hole SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000 5000
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Infineon Technologies
упаковка Ammo Pack
упаковка / блок TO-92-3 ThinPAK-56-8
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
Вес и габариты
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
вес, г 2
серия CoolMOS C6
длина 6 mm
время нарастания 5.9 ns
время спада 18.2 ns
коммерческое обозначение CoolMOS
pd - рассеивание мощности 26.6 W
другие названия товара № IPL65R1K5C6S SP001163086
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 3 A
qg - заряд затвора 11 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 1.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 33 ns
типичное время задержки при включении 7.7 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль