Сравнение

IPL65R1K5C6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 3А, 26,6Вт, PG-VSON-4
Цена 0 0 400
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вес, г 2
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 5000
тип продукта MOSFET
торговая марка Infineon Technologies
упаковка / блок ThinPAK-56-8
серия CoolMOS C6
длина 6 mm
время нарастания 5.9 ns
время спада 18.2 ns
коммерческое обозначение CoolMOS
pd - рассеивание мощности 26.6 W
другие названия товара № IPL65R1K5C6S SP001163086
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 3 A
qg - заряд затвора 11 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 1.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 33 ns
типичное время задержки при включении 7.7 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль