Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	SI4497DY-T1-GE3
Цена	0 ₽	0 ₽	490 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	Through Hole	—	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	—	55 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—	MOSFETs
продукт	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	2000	—	2500
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	—	Vishay / Siliconix
упаковка	Ammo Pack	—	—
упаковка / блок	TO-92-3	—	SO-8
выходной ток	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	—	—
полярность	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—	—
вес, г	—	—	0.51
package / case	—	—	SO-8
серия	—	—	SI4
время нарастания	—	—	13 ns
время спада	—	—	25 ns
коммерческое обозначение	—	—	TrenchFET
minimum operating temperature	—	—	-55 C
factory pack quantity	—	—	2500
manufacturer	—	—	Vishay
maximum operating temperature	—	—	+150 C
mounting style	—	—	SMD/SMT
packaging	—	—	Cut Tape or Reel
product category	—	—	MOSFET
product type	—	—	MOSFET
series	—	—	SI4
subcategory	—	—	MOSFETs
pd - рассеивание мощности	—	—	7.8 W
другие названия товара №	—	—	SI4497DY-GE3
количество каналов	—	—	1 Channel
configuration	—	—	Single
fall time	—	—	25 ns
rise time	—	—	13 ns
number of channels	—	—	1 Channel
tradename	—	—	TrenchFET
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
part # aliases	—	—	SI4497DY-GE3
technology	—	—	Si
pd - power dissipation	—	—	7.8 W
id - непрерывный ток утечки	—	—	36 A
qg - заряд затвора	—	—	285 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	2.7 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	2.5 V
канальный режим	—	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	75 S
полярность транзистора	—	—	P-Channel
тип транзистора	—	—	1 P-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	115 ns
типичное время задержки при включении	—	—	19 ns
channel mode	—	—	Enhancement
rds on - drain-source resistance	—	—	2.7 mOhms
transistor polarity	—	—	P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	30 V
vgs - gate-source voltage	—	—	20 V
id - continuous drain current	—	—	36 A
typical turn-on delay time	—	—	19 ns
typical turn-off delay time	—	—	115 ns
forward transconductance - min	—	—	75 S
qg - gate charge	—	—	285 nC
transistor type	—	—	1 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	—	—	2.5 V