Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SIHH186N60EF-T1GE3
Цена	1 510 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	PowerPAK 8 x 8
серия	EF
время нарастания	23 ns
время спада	16 ns
коммерческое обозначение	TrenchFET
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
id - непрерывный ток утечки	16 A
qg - заряд затвора	21 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	168 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
типичное время задержки выключения	25 ns
типичное время задержки при включении	14 ns