Сравнение

AP7384-70SA-7 SIHG35N60EF-GE3
Цена 0 2 050
Информация о производителе
Основные
вид монтажа SMD/SMT Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 55 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators
размер фабричной упаковки 3000 1
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Vishay Semiconductors
упаковка / блок SOT-23-3 TO-247-3
серия AP7384 EF
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
Вес и габариты
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
вес, г 6
время нарастания 85 ns
время спада 61 ns
pd - рассеивание мощности 250 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 32 A
qg - заряд затвора 134 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 97 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 8 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel EF-Series Power MOSFET
типичное время задержки выключения 96 ns
типичное время задержки при включении 28 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль