Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	SIHG22N60E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 21 А, 0.15 Ом, TO-247AC, Through Hole
Цена	0 ₽	540 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вид монтажа	Through Hole	Through Hole
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	55 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	2000	500
тип продукта	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	Vishay Semiconductors
упаковка	Ammo Pack	Tube
упаковка / блок	TO-92-3	TO-247-3
выходной ток	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	—
полярность	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—
Вес и габариты	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—
вес, г	—	6
серия	—	E
длина	—	15.87 mm
время нарастания	—	27 ns
время спада	—	35 ns
pin count	—	3
product category	—	Power MOSFET
pd - рассеивание мощности	—	227 W
количество каналов	—	1 Channel
automotive	—	No
eu rohs	—	compliant
lead shape	—	Through Hole
maximum operating temperature (°c)	—	150
mounting	—	Through Hole
part status	—	active
pcb changed	—	3
standard package name	—	TO-247
supplier package	—	TO-247AC
eccn (us)	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	227000
minimum operating temperature (°c)	—	-55
configuration	—	Single
hts	—	8541.29.00.95
package height	—	20.7(Max)
package length	—	15.87(Max)
package width	—	5.31(Max)
технология	—	Si
number of elements per chip	—	1
конфигурация	—	Single
channel type	—	N
tab	—	Tab
id - непрерывный ток утечки	—	21 A
qg - заряд затвора	—	57 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	180 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	4 V
канальный режим	—	Enhancement
полярность транзистора	—	N-Channel
типичное время задержки выключения	—	66 ns
типичное время задержки при включении	—	18 ns
channel mode	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	21
maximum drain source resistance (mohm)	—	180@10V
maximum drain source voltage (v)	—	600
maximum gate source leakage current (na)	—	100
maximum gate source voltage (v)	—	±20
maximum gate threshold voltage (v)	—	4
maximum idss (ua)	—	1
typical fall time (ns)	—	35
typical gate charge @ 10v (nc)	—	57
typical gate charge @ vgs (nc)	—	57@10V
typical input capacitance @ vds (pf)	—	1920@100V
typical rise time (ns)	—	27
typical turn-off delay time (ns)	—	66
typical turn-on delay time (ns)	—	18
military	—	No