Сравнение

SIRA18DP-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 33A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Цена 0 41
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
package / case PowerPAK-SO-8
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок PowerPAK-SO-8
серия SIR
длина 6.15 mm
время нарастания 9 ns
время спада 5 ns
коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK
minimum operating temperature -55 C
factory pack quantity 3000
manufacturer Vishay
maximum operating temperature +150 C
mounting style SMD/SMT
packaging Cut Tape or Reel
product category MOSFET
product type MOSFET
series SIR
subcategory MOSFETs
pd - рассеивание мощности 14.7 W
количество каналов 1 Channel
configuration Single
fall time 5 ns
rise time 9 ns
number of channels 1 Channel
tradename TrenchFET, PowerPAK
технология Si
конфигурация Single
technology Si
pd - power dissipation 14.7 W
id - непрерывный ток утечки 33 A
qg - заряд затвора 21.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 6 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 16 V, 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 54 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 15 ns
типичное время задержки при включении 11 ns
channel mode Enhancement
rds on - drain-source resistance 6 mOhms
transistor polarity N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage 30 V
vgs - gate-source voltage 20 V, -16 V
id - continuous drain current 33 A
typical turn-on delay time 11 ns
typical turn-off delay time 15 ns
forward transconductance - min 54 S
qg - gate charge 21.5 nC
transistor type 1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage 1.2 V
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль