Сравнение

	SI2304BDS-T1-GE3, Транзистор
Цена	130 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
Вес и габариты	—
rds on - drain-source resistance	70mО© @ 2.5A,10V
transistor polarity	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	30V
vgs - gate-source voltage	3V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	3.2A
power dissipation-max (ta=25в°c)	750mW