Сравнение

AS7805AT-E1 AS7805ADTR-G1 AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A SIR426DP-T1-GE3
Цена 0 0 0 0 0 90
Информация о производителе
Основные
number of outputs 1
minimum operating temperature -40В°C
maximum operating temperature 125В°C
output type Fixed
factory pack quantity: factory pack quantity: 1000 2500
input voltage, max: 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C
mounting style: Through Hole SMD/SMT
number of outputs: 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Tube Reel, Cut Tape, MouseReel
output voltage 5V
output current 1A
Вес и габариты
output current: 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed
output configuration Positive
input voltage max 25V
quiescent current 6mA
quiescent current: 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive
voltage dropout (max) 2V @ 1A(typ)
psrr / ripple rejection - typ 70dB(120Hz)
line regulation: 25 mV 25 mV
psrr / ripple rejection - typ: 70 dB
package / case: TO-220-3 TO-252-2
moisture sensitive: Yes
вид монтажа SMD/SMT Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения
количество выходов 1 Output 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 125 C 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3
серия AP7384
выходной ток 50 mA 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
тип выхода Fixed Fixed
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack
вес, г 0.229
pin count 8
packaging Tape and Reel
product category Power MOSFET
количество выводов 8вывод(-ов)
automotive No
eu rohs Compliant with Exemption
lead shape no lead
maximum operating temperature (°c) 150
mounting surface mount
part status active
pcb changed 8
ppap No
standard package name SO
supplier package PowerPAK SO EP
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 4800
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single Quad Drain Triple Source
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 1-Безлимитный
process technology TrenchFET
number of elements per chip 1
channel type N
рассеиваемая мощность 41.7Вт
power dissipation 41.7Вт
напряжение истока-стока vds 40В
полярность транзистора N Канал
стиль корпуса транзистора SOIC
непрерывный ток стока 30А
сопротивление во включенном состоянии rds(on) 0.0085Ом
напряжение измерения rds(on) 10В
пороговое напряжение vgs 1.2В
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 15.9
maximum drain source resistance (mohm) 10.5 10V
maximum drain source voltage (v) 40
maximum gate source leakage current (na) 100
maximum gate source voltage (v) ±20
maximum gate threshold voltage (v) 2.5
maximum idss (ua) 1
typical fall time (ns) 10
typical gate charge @ 10v (nc) 20.5
typical gate charge @ vgs (nc) 20.5 10V|9.3 4.5V
typical input capacitance @ vds (pf) 1160 20V
typical rise time (ns) 15
typical turn-off delay time (ns) 18
typical turn-on delay time (ns) 18
rds on - drain-source resistance 10.5mО© @ 15A,4.5V
transistor polarity N Channel
vds - drain-source breakdown voltage 40V
vgs - gate-source voltage 2.5V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c 30A
power dissipation-max (ta=25в°c) 4.8W
operating junction temperature (°c) -55 to 150
монтаж транзистора Surface Mount
typical output capacitance (pf) 185
maximum continuous drain current on pcb @ tc=25°c (a) 15.9
maximum diode forward voltage (v) 1.2
maximum gate resistance (ohm) 1.6
maximum junction ambient thermal resistance on pcb (°c/w) 70
maximum positive gate source voltage (v) 20
maximum power dissipation on pcb @ tc=25°c (w) 4.8
maximum pulsed drain current @ tc=25°c (a) 70
minimum gate resistance (ohm) 0.2
minimum gate threshold voltage (v) 1.2
typical diode forward voltage (v) 0.77
typical gate plateau voltage (v) 2.5
typical gate to drain charge (nc) 2.5
typical gate to source charge (nc) 3.1
typical reverse recovery charge (nc) 19
typical reverse recovery time (ns) 23
typical reverse transfer capacitance @ vds (pf) 70 20V
drain source on state resistance 0.0085Ом
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль