Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-33Y-13	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70V-A	STW70N60DM2, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 600В, 42А, 446Вт, TO247
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	1 230 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	0.5 V	—	—
mounting type	Surface Mount	Through Hole	—	—
number of outputs	1	1	—	—
максимальная рабочая температура	125 C	—	+ 125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	-40 C	—	40 C	55 C
выходной ток	50мА	—	50 mA	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	—	—
package type	SOT-89	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 C	-40 °C	—	-55 C
width	2.6mm	3.8mm	—	—
pin count	3+Tab	3	—	—
maximum operating temperature	+125 C	+125 °C	—	+150 C
количество выводов	3вывод(-ов)	—	—	—
максимальное входное напряжение	40В	—	—	—
тип выхода	фиксированный	—	Fixed	—
output type	Fixed	Fixed	—	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	—	—
output voltage	3.3 V	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	3.3 V	—	—
polarity	Positive	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	40 V	—	—
maximum output current	50mA	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—	—
quiescent current	2.5uA	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	Low Dropout Voltage	—	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—	—
вид монтажа	—	—	Through Hole	Through Hole
категория продукта	—	—	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	—	—	1 Output	—
подкатегория	—	—	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	—	—	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	—	—	2000	600
тип продукта	—	—	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	—	—	Diodes Incorporated	STMicroelectronics
упаковка	—	—	Ammo Pack	—
упаковка / блок	—	—	TO-92-3	TO-247-3
нестабильность выходной нагрузки	—	—	0.5 %	—
выходное напряжение	—	—	7 V	—
полярность	—	—	Positive	—
входное напряжение (макс.)	—	—	40 V	—
входное напряжение мин.	—	—	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	—	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	—	—	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	—	60 dB	—
вес, г	—	—	—	4.54
package / case	—	—	—	TO-247-3
серия	—	—	—	STW70N60DM2
время нарастания	—	—	—	67 ns
время спада	—	—	—	10.4 ns
коммерческое обозначение	—	—	—	MDmesh
factory pack quantity	—	—	—	600
manufacturer	—	—	—	STMicroelectronics
mounting style	—	—	—	Through Hole
product category	—	—	—	MOSFET
product type	—	—	—	MOSFET
series	—	—	—	STW70N60DM2
subcategory	—	—	—	MOSFETs
pd - рассеивание мощности	—	—	—	446 W
количество каналов	—	—	—	1 Channel
configuration	—	—	—	Single
fall time	—	—	—	10.4 ns
rise time	—	—	—	67 ns
number of channels	—	—	—	1 Channel
tradename	—	—	—	MDmesh
технология	—	—	—	Si
конфигурация	—	—	—	Single
technology	—	—	—	Si
pd - power dissipation	—	—	—	446 W
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	66 A
qg - заряд затвора	—	—	—	121 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	42 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	—	25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	—	3 V
канальный режим	—	—	—	Enhancement
полярность транзистора	—	—	—	N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	—	112 ns
типичное время задержки при включении	—	—	—	32 ns
channel mode	—	—	—	Enhancement
rds on - drain-source resistance	—	—	—	42 mOhms
transistor polarity	—	—	—	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	—	600 V
vgs - gate-source voltage	—	—	—	25 V
id - continuous drain current	—	—	—	66 A
typical turn-on delay time	—	—	—	32 ns
typical turn-off delay time	—	—	—	112 ns
qg - gate charge	—	—	—	121 nC
vgs th - gate-source threshold voltage	—	—	—	3 V