Сравнение

SI4463BDY-T1-GE3
Цена 0 530
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.187
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 2500
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок SO-8
серия SI4
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 3 W
другие названия товара № SI4463BDY-GE3
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 13.7 A
qg - заряд затвора 56 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 20 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
vgs - напряжение затвор-исток 12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.4 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора P-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль