Сравнение

SIHF530-GE3
Цена 0 280
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 4.187
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок TO-220-3
серия SIHF530
длина 10.41 mm
время нарастания 34 ns
время спада 24 ns
pd - рассеивание мощности 88 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 14 A
qg - заряд затвора 26 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 160 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 5.1 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 23 ns
типичное время задержки при включении 10 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль