Сравнение

SI4143DY-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 30 В, 25.3 А, 0.0051 Ом, SOIC, Surface Mount
Цена 0 170
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.1
максимальная рабочая температура 150 C
линейка продукции TrenchFET
количество выводов 8вывод(-ов)
channel type P Channel
рассеиваемая мощность 6Вт
power dissipation 6Вт
напряжение истока-стока vds 30В
полярность транзистора P Канал
стиль корпуса транзистора SOIC
непрерывный ток стока 25.3А
сопротивление во включенном состоянии rds(on) 0.0051Ом
напряжение измерения rds(on) 10В
пороговое напряжение vgs 2.5В
монтаж транзистора Surface Mount
drain source on state resistance 0.0051Ом
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль