Сравнение

SI3469DV-T1-E3
Цена 0 330
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.02
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок TSOP-6
серия SI3
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 2 W
другие названия товара № SI3469DV-E3
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 6.7 A
qg - заряд затвора 30 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 51 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора P-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль